Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 27: Postersitzung

DS 27.22: Poster

Dienstag, 12. März 2002, 15:30–17:30, Poster Physik B

Elektrische und strukturelle Eigenschaften von V₂O₃-Schichten — •Björn Sass, Wolfgang Felsch, Henning Harms, Yuansu Luo und Anne Parge — I. Physikalisches Institut Universität Göttingen, Bunsenstraße 9, 37073 Göttingen

Durch reaktive Sputterdeposition hergestellte Vanadiumsesquioxidschichten (V₂O₃) wachsen auf thermisch oxidiertem Silizium polykristallin, auf (0001)- und (1120)-Saphir epitaktisch. Sie zeigen bei ∼170K einen Metall-Halbleiter-Übergang mit einer Änderung des elektrischen Widerstandes um bis zu 5 Größenordnungen. Röntgenabsorptionsmessungen an den V-L_2,3(2p→3d)- und O-K(1s→2p)-Kanten deuten auf V₂O₅ an der Oberfläche hin, das sich durch Ionenätzen entfernen läßt. Nach Auslagerung bei 1000K zeigt das LEED-Bild eine wohlgeordnete rhomboedrische Struktur. Zur weiteren Charakterisierung werden RBS-Spektren und STM-Aufnahmen herangezogen.