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DS: Dünne Schichten

DS 27: Postersitzung

DS 27.36: Poster

Dienstag, 12. März 2002, 15:30–17:30, Poster Physik B

Strukturuntersuchung von epitaktischen CrSi₂ Schichten auf Si(001) mittels TEM — •Anke Henning, Rene Reichel, Olga Filonenko, Heiko Hortenbach, Meiken Falke, Gunter Beddies und Hans-Jürgen Hinneberg — TU Chemnitz, Institut für Physik, 09107 Chemnitz, Germany

Dünne Silicidschichten auf Si(001) mit atomar glatter Silicid-Silizium Grenzfläche gewinnen für mikroelektronische, thermoelektrische und photovoltaische Anwendungen zunehmend an Bedeutung. Wegen seiner hohen thermischen und chemischen Stabilität stellt CrSi₂ ein aussichtsreiches halbleitendes Silicid insbesondere für thermoelektrische Applikationen dar.

Dünne epitaktische CrSi₂ Schichten wurden in einer MBE-Anlage unter UHV-Bedingungen auf n-Si(001) Substrat gewachsen. Mit Hilfe von Elektronen- und Röntgenbeugung wurden Erkenntnisse über bevorzugt auftretende Epitaxiebeziehungen gewonnen. Die sich ergebene Schichtmorphologie wurde in Abhängigkeit von unterschiedlichen Herstellungsverfahren sowie deren speziellen Parametern mittels TEM untersucht. Weiterhin wurde der Einfluß von Schichtqualität und Vorzugsrichtung der Kristallite auf die elektronischen Eigenschaften analysiert.