Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 27: Postersitzung

DS 27.37: Poster

Dienstag, 12. März 2002, 15:30–17:30, Poster Physik B

Leitfähigkeits- und Hall-Effektsmessungen an dünnen CrSi₂-Schichten — •Rene Reichel, Anke Henning, Olga Filonenko, Heiko Hortenbach, Gunter Beddies, Meiken Falke und Hans-Jürgen Hinneberg — TU Chemnitz, Institut für Physik, 09107 Chemnitz, Germany

Aufgrund ihrer Kompatibilität zur bestehenden Si-Technologie haben Silicide eine zunehmende technologische Bedeutung in der Mikroelektronik. Immer mehr an Interesse gewinnen dabei auch die halbleitenden Silicide wie CrSi₂, β−FeSi₂ und MnSi_1.7, die für thermoelektrische oder photovoltaische Anwendungen geeignet sind.

Durch gleichzeitiges Verdampfen von Chrom (Effusionszelle) und Silizium (Elektronenstrahler) im UHV wurden auf n-Si(001) dünne CrSi₂-Schichten präpariert.

Als Prozessparameter wurden die Abscheidetemperatur sowie die Dicke der template-Schicht variiert.

Zur Messung der Leitfähigkeit, der magnetischen Widerstandsänderung und des Hall-Effektes in Abhängigkeit von der Temperatur (4,2 K bis 300 K) und des Magnetfeldes (-5 T bis +5 T) wurde die Proben mittels Plasmaätzprozess strukturiert und in einem Helium-Kryostaten mit supraleitender Spule eingebaut.

Unter Berücksichtigung der mittels TEM und XRD gewonnenen Strukturdaten wird der Ladungstransport in den CrSi₂-Schichten im Vergleich zu Literaturdaten diskutiert.