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DS: Dünne Schichten
DS 27: Postersitzung
DS 27.44: Poster
Dienstag, 12. März 2002, 15:30–17:30, Poster Physik B
Grenzflächenreaktionen in Eisen/Bor-Vielfachschichten — •R. Steiner1, H.-G. Boyen1, M. Krieger1, A. Plettl1, P. Widmayer1, P. Ziemann1, F. Banhart2 und P. Oelhafen3 — 1Abteilung Festkörperphysik, Universiät Ulm, D- 89069 Ulm — 2ZE Elektronenmikroskopie, Universität Ulm, D-89069 Ulm — 3Institut für Physik, Universität Basel, Klingelbergstr. 82, CH-4056 Basel
Der Einsatz amorpher anstelle kristalliner Sensorschichten in Spin-Valve Strukturen erlaubt es, die Empfindlichkeit von GMR Sensoren gegenüber schwachen Magnetfeldern deutlich zu verbessern [1]. Zu diesem Zwecke werden amorphe magnetische Schichten mit reduzierter Koerzitivfeldstärke benötigt, deren Schichtdicke jedoch einige Nanometer nicht übersteigen sollte aufgrund der stark reduzierten mittleren freien Weglänge der Leitungselektronen in der amorphen Phase. Wir berichten hier über eine Methode zur Herstellung ultradünner amorpher FeB Schichten mit Schichtdicken im Nanometerbereich. Diese Methode beruht auf dem Auftreten von Durchmischungsreaktionen im Grenzflächenbereich von Fe/B Vielfachschichten, welche im Temperaturbereich zwischen 77K und 300K mittels Aufdampfen, Ionenstrahlsputtern sowie Laserablation hergestellt wurden. Die Durchmischungsreaktionen führen zu amorphen FeXB100− X Legierungen, deren räumliche Ausdehnung im Grenzflächenbereich auf etwa 3nm beschränkt ist. Das Auftreten amorpher Legierungen wird durch Photoelektronenspektroskopie, in situ Leitfähigkeitsmessungen, Magnetisierungsmessungen sowie hochauflösender Transmissionselektronenmikroskopie bestätigt. [1] K. Bouziane, M. Mamor and M. Maaza, Solid Stat. Commun. 107, 107 (1998).