Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 27: Postersitzung

DS 27.8: Poster

Dienstag, 12. März 2002, 15:30–17:30, Poster Physik B

Grundlagen des Sputterns - Einfluss der Sputterfrequenz auf die Dünnschichteigenschaften — •Ralph Träger, Klaus Bethe und Meinhard Schilling — Institut für Elektrische Messtechnik und Grundlagen der Elektrotechnik, TU Braunschweig, Hans-Sommer-Strasse 66, 38106 Braunschweig, Germany

Als Beispielsystem untersuchen wir NiCrAl-Dünnschichten für hochresistive SMD-Widerstände, um den Einfluss der Sputterparameter, inbesondere der Sputterfrequenz auf die Schichteigenschaften zu klären. Die Untersuchungen haben gezeigt, daß schon geringe Unterschiede der externen Parameter eines Sputterprozesses und der damit verbundenen Änderung des Plasmas zu drastischen Veränderungen der Schichteigenschaften führen können.

Die Untersuchungen konzentrieren sich auf den Zusammenhang von Prozeßdruck, RF-Spannung, RF-Frequenz, Wirk- und Blindleistung im Plasma und der damit verbundenen Änderung des Selfbias und der Plasmaimpedanz. Der zweite Teil der Untersuchung befasst sich mit dem Einfluss auf die Eigenschaften der erzeugten Schicht wie Flächenwiderstand und Temperaturkoeffizient. NiCrAl als ternäre Legierung ist dabei aufgrund seiner Empfindlichkeit der Schichteigenschaften bezüglich des Prozesses besonders geeignet.

Die Auswertung erfolgt unter anderen mit Hilfe von Methoden der statistischen Versuchsplanung und -auswertung.