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DS: Dünne Schichten
DS 8: c-BN II
DS 8.1: Vortrag
Dienstag, 12. März 2002, 10:30–10:45, HS 31
Einfluss der Ionenenergie auf das Wachstum von c-BN-Filmen — •Hans Hofsäss, Horst Feldermann, Sören Eyhusen und Carsten Ronning — II. Physikalisches Institut, Universität Göttingen
Mittels massenseparierter Ionenstrahldeposition (MSIBD) wurde das Wachstum von dünnen Schichten aus kubischem Bornitrid (c-BN) als Funktion der Energie der deponierten Bor- und Stickstoff-Ionen untersucht. Dazu wurde nach dem Abscheiden einer c-BN-Schicht die Ionenenergie unter Beibehaltung der anderen Depositionsparameter auf bis zu 10 keV erhöht. FTIR- und TEM-Messungen zeigen deutlich, dass c-BN-Wachstum bis zu einer Energie von mindestens 5 keV möglich ist. Schichtwachstum bei 10 keV hingegen führt zur Bildung einer sp2-gebundenen Phase und zu einer Umwandlung von c-BN in sp2-gebundenes Material. Diese Ergebnisse passen sehr gut zu den Voraussagen des zylindrischen thermal spike Modells. Bis zu einer Energie von 5 keV können atomare Umordnungsprozesse innerhalb eines thermal spikes die Akkumulierung von Defekten unterdrücken und die Bildung einer sp3-gebundenen Phase ermöglichen. Überhalb von 5 keV nimmt der Einfluss des thermal spikes ab und die Defektakkumulation führt zur Bildung einer sp2-gebundenen Phase. Weitere Experimente zum Einfluss der unterschiedlichen Reichweiten von B- und N-Ionen in c-BN wurden durchgeführt.