Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 8: c-BN II

DS 8.2: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 10:45–11:00, HS 31

Eigenschaften dotierter Bornitrid-Schichten — •Söeren Eyhusen, Carsten Ronning und Hans Hofsäss — II. Physikalisches Institut, Universität Göttingen

Durch massenseparierte Ionenstrahldeposition (MSIBD) lassen sich unter definierten Bedingungen gezielt Fremdatome in Schichten aus kubischem Bornitrid (c-BN) einbringen. Interessant sind dabei vor allem potentielle Akzeptor- (wie S oder Se) oder Donatoratome (wie Mg), die zu einer p- oder n-Typ Dotierung des c-BNs führen könnten. Aber auch ternäre c-BN:X-Verbindungen mit isoelektronischen Elementen wie P oder Al könnten bisher noch unbekannte, interessante Eigenschaften besitzen. Mittels MSIBD wurden sowohl S- und Mg-dotierte BN-Schichten, als auch verschiedene BN_xP_1−x-Verbindungen hergestellt. Die Nukleation des c-BNs wurde als Funktion der Ionenenergie und der Substrattemperatur untersucht. Dabei zeigt sich, dass sich der Parameterraum für die c-BN-Nukleation zu höheren Werten verschiebt. Weiterhin wurden die Schichten mit AES, EELS, XPS, UPS, RBS, UV-VIS und elektrischen Messungen charakterisiert.