Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 8: c-BN II

DS 8.3: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 11:00–11:15, HS 31

Radioaktive Sonden in kubischem Bornitrid - Gitterplatz und Strahlenschaden — •U. Vetter¹, H. Feldermann¹, M. Uhrmacher¹, H. Hofsäss¹, T. Taniguchi², U. Wahl³, J. G. Correia³, M. Dietrich⁴ und ISOLDE Collaboration⁴ — ¹II. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Bunsenstr. 7-9, 37073 Göttingen — ²National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki Tuskuba Ibaraki 305-0044, Japan — ³I.T.N. -Dep. Fisica, E.N.10, 2686-953 Sacavém, Portugal — ⁴CERN, 1211 Geneva 23, Switzerland

Durch Hochdruck-/Hochtemperatursynthese hergestellte Ein- sowie Polykristalle aus kubischem Bornitrid (c-BN) wurden auf ihr Verhalten unter Ionenimplantation mit Hilfe von radioaktiven Sonden hin untersucht. Dazu wurden die Methoden Emissionschanneling und gestörte γγ-Winkelkorrelation (PAC) angewandt. Implantiert wurde hierzu zum einen ¹¹¹In (T_1/2 = 2,81 Tage, Zerfall in ¹¹¹Cd) am Göttinger Implanter IONAS, zum anderen ¹³⁹Ce (T_1/2 = 137,6 Tage, Zerfall in ¹³⁹La) am Online-Isotopenseparator ISOLDE am CERN. Emissionschannelingmessungen wurden an den Konversionselektronen des ¹¹¹Cd und des ¹³⁹La durchgeführt. Das Ausheilverhalten von polykristallinem c-BN nach ¹¹¹In-Implantation wurde mit PAC bis zur einer Anlasstemperatur von 1273 K untersucht.