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DS: Dünne Schichten

DS 8: c-BN II

DS 8.4: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 11:15–11:30, HS 31

Dünne Schichten aus ta-C und c-BN kodeponiert und koimplantiert mit Europium — •U. Vetter¹, C. Ronning¹, H. Hofsäss¹, M. Dietrich², ISOLDE Collaboration² und K. Baruth-Ram³ — ¹II. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Bunsenstr. 7-9, 37073 Göttingen — ²CERN, 1211 Geneve 23, Switzerland — ³Physics Department, University of Durban-Westville, Durban, 4000 South Africa

Dünne Schichten aus tetraedrischem amorphen Kohlenstoff (ta-C) und nanokristallinem kubischen Bornitrid (c-BN) wurden mit der Methode der massenselektierenden Ionenstrahldeposition (MSIBD) hergestellt. Die Schichten wurden zum einen während des Wachstums, zum anderen nach dem Wachstum mit Europium dotiert. Die Dotierung der Schichten während des Wachstums erfolgte durch Kodeposition von ¹⁵¹Eu, in situ gefolgt von einer Charakterisierung durch Auger- und XP-Spektrosokopie. Die Dotierung der Schichten nach Wachstum erfolgte am Online-Isotopenseparator ISOLDE am CERN durch Implantation von ¹⁵¹Gd (T_1/2 = 120 Tage) mit einer Energie von 60 keV. Zur weiteren Charakterisierung der ta-C:Eu und c-BN:Eu - Schichten wurde die Methode der Mössbauerspektroskopie angewandt. Dabei wurden die kodeponierten Schichten mit Konversionselektronen-, die koimplantierten Schichten mit Transmissionsmössbauerspektroskopie untersucht. Verglichen wurde in einem zweiten Schritt die thermische Stabilität der dünnen Filme nach Tempern. Ebenfalls wurden an den Schichten Photo- und Kathodolumineszenzmessungen im Temperaturbereich 11 K bis 293 K durchgeführt.