Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 9: SYPO Kurzvortr
äge

DS 9.3: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 12:15–12:30, HS 32

Wachstum von polykristallinen Si Filmen auf Glas mittels Puls-dc Magnetron Sputtern — •Peter Reinig¹, Frank Fenske¹, Burkhardt Selle¹, Walther Fuhs¹ und Mario Birkholz² — ¹Hahn-Meitner-Institut Berlin, Abt. Silizium-Photovoltaik, Kekulestr. 5, 12489 Berlin — ²Fraunhofer Institut für Schicht- und Oberflächentechnik (IST), Bienroder Weg 54E, 38108 Braunschweig

Das Wachstum von nominell undotiertem polykristallinem Silizium (poly-Si) auf Glas bei niedrigen homologen Temperaturen mit hohen Depositionsraten stellt immer noch eine Herausforderung dar. In unserem Beitrag berichten wir über die Deposition von poly-Si Filmen mit hohen Raten (> 100 nm/min) mittels der Methode des gepulsten dc Magnetron Sputterns. Diese Methode mit Pulsfrequenzen im Mittelfrequenzbereich (50-250 kHz) erlaubt die Hochratenzerstäubung von hochohmigen Materialien, wie z.B. intrinsischem Si. Zeitaufgelöste Langmuir-Sondenmessungen des gepulsten dc-Plasmas zeigen deutliche Unterschiede in relevanten Plasmaparametern (Potentiale, Teilchendichten) im Vergleich zu einer dc-Plasmaentladung. Diese unterschiedlichen Plasmabedingungen haben einen signifikanten Einfluss auf die Mikrostruktur von poly-Si Filmen auf Glas, die bei T = 450 C abgeschieden wurden. Es wird gezeigt, daß Kristallitorientierungen und -grössen signifikant von den jeweiligen Plasmabedingungen abhängen. Unter geeigneten Bedingungen ermöglicht dies ein Wachstum von poly-Si Filmen auf Glas mit einer ausgeprägten {100}-Textur.