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DY: Dynamik und Statistische Physik

DY 46: Poster

DY 46.41: Poster

Donnerstag, 14. März 2002, 15:30–18:00, D

Klassische und Ab–Initio–Simulationen von SiO₂–Oberflächen — •Claus Mischler¹, Walter Kob² und Kurt Binder¹ — ¹Institut für Physik, Johannes Gutenberg–Universität, 55099 Mainz — ²Laboratoire des Verres, Université Montpellier 2, 34095 Montpellier, Frankreich

Mit Hilfe von klassischen und Car–Parrinello–Molekulardynamik–Simulationen (MD bzw. CPMD) untersuchen wir die Struktur freier Oberflächen von amorphem SiO₂. Als Modellpotential für die klassische MD verwenden wir das sog. BKS–Potenzial [1], von dem bekannt ist, dass es viele Bulk–Eigenschaften von SiO₂ sehr gut reproduziert. Allerdings ist nicht klar, ob dies auch fuer die Oberflächeneigenschaften gilt. Um dies zu testen, verwenden wir CPMD–Simulationen, fuer die wir mit dem BKS–Potenzial equilibrierte Konfigurationen als Startpunkt nehmen. Der direkte Vergleich der Resultate aus beiden Methoden zeigt, dass zwar das BKS–Potenzial eine qualitativ gute Beschreibung der SiO₂–Oberfläche liefert, quantitativ ergeben sich jedoch wesentliche Unterschiede in einigen strukturellen Details. Wir diskutieren diese Unterschiede anhand von Dichteprofilen, Paarkorrelationsfunktionen, sowie Winkel– und Ringverteilungen.

[1] B. W. H. van Beest, G. J. Kramer, and R. A. van Santen, Phys. Rev. Lett. 64, 1955 (1990).