Regensburg 2002 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

DY: Dynamik und Statistische Physik

DY 51: Nichtlineare Dynamik III

DY 51.1: Talk

Friday, March 15, 2002, 10:15–10:30, H3

Hochfrequenzfeld-kontrollierte Wanderung von Dipoldomänen in einem Halbleiterübergitter — •E. Schomburg¹, K. Hofbeck¹, R. Scheuerer¹, M. Häussler¹, K.F. Renk¹, A.-K. Jappsen², A. Amann², A. Wacker², E. Schöll², D.G. Pavelev³ und Yu. Koschurinov³ — ¹Institut für Angewandte Physik, Uni Regensburg, DE — ²Institut für Theoretische Physik, TU Berlin, DE — ³Nizhny Novgorod State University, Russland

Wir haben beobachtet, daß die Wanderung von Dipoldomänen in einem Halbleiterübergitter durch ein äußeres Hochfrequenzfeld kontrolliert werden kann. Ein dotiertes GaAs/AlAs-Übergitter zeigte eine Strom-Spannungskennlinie mit einem negativen differentiellen Leitwert. Dieser verursacht bei einer entsprechenden Vorspannung wandernde Dipoldomänen, die zu Stromoszillationen führen. In Abhängigkeit von der Frequenz des Hochfrequenzfeldes traten frequenzgekoppelte oder quasiperiodische Zustände der Domänenwanderung auf. Das Verhalten kann mit einer Teufelsleiter beschrieben werden. Eine theoretische Analyse zeigt, daß ein Hochfrequenzfeld die Domänenwanderung sowohl durch eine Beeinflussung der Domänengeschwindigkeit als auch durch eine Veränderung des Abreißens der sich formierenden Domäne von der Kathode kontrolliert.