Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Quantenpunkte und -dr
ähte: Transporteigensch. II

HL 10.4: Talk

Monday, March 11, 2002, 16:15–16:30, H17

Lokalisation von Löchern in Typ II GaSb/GaAs Quantenpunkten — •Martin Geller, Christian Kapteyn, Lutz Müller-Kirsch, Jörg Ehehalt, Robert Heitz und Dieter Bimberg — Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin

Im Hinblick auf zukünftige Speichermedien ist es von starkem Interesse, Quantenpunkte mit großer Lokalisierungsenergie und langer Lokalisationsdauer der Ladungsträger herzustellen. Zeitaufgelöste Kapazitätstransientenspektroskopie (DLTS) an InAs/GaAs Quantenpunkten hat gezeigt, dass insbesondere für die Löcher lange Lokalisationszeiten zu erwarten sind. Damit bieten sich Typ II GaSb/GaAs Quantenpunkte an, die aufgrund ihrer Bandstruktur nur gebundene Lochzustände mit deutlich höherer Bindungsenergie besitzen.

Mittels DLTS lässt sich die Ladungsträgerlokalisation in Quantenpunkten charakterisieren, wie dies bereits erfolgreich an Typ I InAs/GaAs Quantenpunkten gezeigt wurde [1]. An mit metallorganischer Gasphasenepitaxie gewachsenen Typ II GaSb/GaAs Quantenpunkten [2] in n⁺p-Diodenstrukturen wurden DLTS und kapazitätsspektroskopische Untersuchungen durchgeführt. Anhand dieser Ergebnisse konnte die Aktivierungsenergie der gebundenen Löcher in den Quantenpunkten bestimmt und die Emissionsprozesse identifiziert werden.

[1] Kapteyn et al., Appl. Phys. Lett. 76, 1573 (2000)

[2] Müller-Kirsch et al., Appl. Phys. Lett. 79, 1027 (2001)