Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster 1

HL 11.29: Poster

Monday, March 11, 2002, 17:00–19:30, Poster A

Linienform exzitonischer Übergänge in GaInAs/InP Quantenfilmen bei Magneto-(Photo-)Reflexion — •E. Baars¹, A. Hasenkopf¹, A. Dörnen¹, V. Härle² und F. Scholz¹ — ¹4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart — ²jetzt Osram/OS, Regensburg

Wir untersuchen die optischen Eigenschaften von pseudomorphen Ga_xIn_1−xAs/InP Quantenfilmen, deren Verspannung durch Variation des Gallium-Gehalts während der Herstellung per MOVPE gezielt eingestellt wurde. Bei biaxial kompressiv verspannten Multi-Quantenfilmen zeigt sich in Magneto-Reflexion bei den bekannten 1S-, 2S- und 3S-Übergängen eine dreifache Aufspaltung mit Halbwertsbreiten von nur 2meV, die in Magneto-Absorption bisher nicht beobachtet wurde. Wir vergleichen die Ergebnisse von Photolumineszenz, Absorption und Reflexion und diskutieren die Unterstruktur vor dem Hintergrund möglicher Ga-In-Kompositionsschwankungen sowie Schichtdickenfluktuationen. Die Kramers-Kronig-Transformation der Reflexionsspektren wird dabei als wichtiges Hilfsmittel beleuchtet.
Durch photomodulierte Magneto-Reflexion war es möglich, vergleichende Untersuchungen an Einfach-Quantenfilmen durchzuführen. Bei der hier ungleich schwierigeren Interpretation der Linienformen diskutieren wir im Rahmen des Lorentz-Modells [1,2] die Beiträge der Modulation von Oszillatorstärke, Streuzeit und Bandlücke zum Gesamtsignal.
[1] D. E. Aspnes, Surface Science 37, 418 (1973).
[2] B. Shanabrook, O. Glembocki und W. Beard, Phys. Rev. B 35, 2540 (1987).