Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 11: Poster 1
HL 11.2: Poster
Montag, 11. März 2002, 17:00–19:30, Poster A
Elektronische Zustände und optische Verstärkung in GaInNAs / GaAs-Quantentrogstrukturen — •A. Grau1, D. Saez de Jauregui1, J. Kvietkova1, M. Hetterich1, A.Yu. Egorov2 und H. Riechert2 — 1Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe, D-76131 Karlsruhe — 2Infineon Technologies, D-81730 München
GaInNAs / GaAs ist ein vielversprechendes Materialsystem zur Realisierung optoelektronischer Bauelemente im nahen Infrarot, insbesondere von Laserdioden für die Datenübertragung durch optische Fasern.
Mittels photomodulierter Reflexion (PR) untersuchen wir die elektronischen Übergänge in GaInNAs / GaAs-Quantentrogstrukturen (MQWs) unterschiedlicher Komposition und Trogbreite bei Raumtemperatur. Ergänzend verwenden wir auch Photolumineszenz-Anregungsspektroskopie (PLE) bei tiefen Temperaturen. Aus der theoretischen Modellierung der Messergebnisse können Aussagen über die Bandanordnung und die Leitungsbandstruktur von GaInNAs gewonnen werden.
In einem zweiten Schritt haben wir kürzlich begonnen, mit der Methode der variablen Strichlänge die optische Verstärkung in GaInNAs / GaAs MQWs mit typischerweise 5 Quantentrögen zu messen. Erste Ergebnisse weisen bei Raumtemperatur und einer Emissionswellenlänge nahe 1.3 µm auf Werte im Bereich von 20-50 cm−1 hin.