Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster 1

HL 11.52: Poster

Monday, March 11, 2002, 17:00–19:30, Poster A

Herstellung von Quantenbauelementen auf der Basis von schichtkompensierten GaAs/AlGaAs-Heteroschichtsystemen — •D. Kähler¹, U. Kunze¹, D. Reuter² und A.D. Wieck² — ¹Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstr. 151 IC/2, D-44780 Bochum — ²Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum

Lithographisch hergestellte eindimensionale (1D) Elektronensysteme werden üblicher Weise durch lokale Verarmung hoch beweglicher zweidimensionaler (2D) Elektronengase hergestellt. Dies entspricht einem Negativ-Prozess. In dieser Arbeit wird ein Positiv-Prozess vorgestellt, bei dem ein Elektronensystem dort induziert wird, wo eine hoch dotierte Deckschicht abgeätzt wird. Die verwendete Heterostruktur entspricht einem modulationsdotierten n-Kanal Feldeffekttransistor (MODFET), dessen Elektronensystem durch eine p-dotierten Deckschicht verarmt ist [1].

Eine hochauflösende Lithographie auf der Basis des Rasterkraftmikroskops (AFM) [2], ermöglicht die Präparation extrem kleiner Quantenbauelemente, die aus beliebig geformten Flächen, Linien oder Punkten zusammengesetzt sein können. Für verschiedene Strukturen wie Einzelelektronentransistoren oder Quantendrähte werden Transportmessungen bei T=4.2K gezeigt.

=0cm [1] D. Reuter, D. Kähler, U. Kunze, A. D. Wieck, Semicond. Sci. Technol. 16 (2001) 603.

[2] B. Klehn, U. Kunze, J. of Applied Physics 85 (1999) 3897.