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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster 1

HL 11.53: Poster

Montag, 11. März 2002, 17:00–19:30, Poster A

Optimale Wachstumsparameter für hohe PL-Intensitäten von InAs-Quantenpunkten auf GaAs — •Oliver Schumann, Lutz Geelhaar und Henning Riechert — Infineon Technologies AG, Corporate Research Photonics, D-81739 München

Wir haben das Wachstum von InAs-Quantenpunkten auf einer GaAs(001)-Oberfläche mit einer MBE-Anlage untersucht. Dabei wurden die Wachstumsparameter As-Fluss, In-Fluss, nominelle InAs-Bedeckung und Substrattemperatur variiert und detaillierte Untersuchungen mittels PL und AFM durchgeführt. Während des Wachstums der Quantenpunkte auf Drei-Zoll-Wafern wurde die Rotation der Wafer gestoppt, wodurch mehrere Parameter auf einem Wafer variiert werden konnten. Durch Einstellen der optimalen Parameter sind Quantenpunkte mit hoher PL-Intensität erzeugt worden.

Weiteres Ziel unserer Untersuchungen sind InAs-Quantenpunkte im quaternären Material InGaAsN, um den Einfluss des Stickstoffs auf die Nukleation der Quantenpunkte zu studieren.