Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 11: Poster 1
HL 11.54: Poster
Montag, 11. März 2002, 17:00–19:30, Poster A
Wachstum von InAs-Quantenpunkten auf GaAs mit Dichten von 5× 108 / cm2 bis 5× 1010 / cm2 — •Peter Kailuweit, Dirk Reuter, Peter Schafmeister und Andreas Wiek — Lehrstuhl für angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstraße 150, 44780 Bochum
Untersucht wurde das selbstorganisierte Wachstum von InAs-Quantenpunkten auf einer GaAs-(100)-Oberfläche. Dazu wurde mit Hilfe von Elektronenbeugung zunächst die InAs-Menge (1.7 ML) bestimmt, bei der sich die Quantenpunkte bilden. Entsprechend dieser Wachstumsratenkalibrierung wurden 1,84 Monolagen mit einer Rate von 0.035 ML/s bei verschiedenen Wachstumstemperaturen abgeschieden. Um eine gleichmäßige Größenverteilung zu erzielen, wurde das InAs in Zyklen zu 4s mit 2s Pause abgeschieden.
Die Dichte und Abmessungen der Quantenpunkte wurde mit Hilfe von Rasterkraftmikroskopie bestimmt. Mit steigender Wachstumstemperatur verringert sich die Dichte von 5× 1010 /cm2 auf 5× 108/cm2.
Die optischen und elektrischen Eigenschaften wurden mit Photolumineszenzmessungen (PL) sowie Kapazitätsspektroskopie untersucht. Es zeigt sich, daß die Energie des PL-Grundzustandes weitgehend von der Substrattemperatur unabhängig ist. Mit abnehmender Dichte erhöht sich das absolute PL-Signal des Wettinglayers.