Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster 1

HL 11.55: Poster

Monday, March 11, 2002, 17:00–19:30, Poster A

Wachstum und optische Untersuchungen von selbstorganisierten GaInN Quantenpunkten — •Victoria Perez-Solorzano¹, Yasuyuki Kobayashi^1,2, Michael Jetter¹, Heinz Schweizer¹ und Ferdinand Scholz¹ — ¹Universität Stuttgart, 4. Physikalisches Institut, Pfaffenwaldring 57, 70550 Stuttgart, Deutschland — ²NTT Basic Research Laboratories, Atusgi-shi, Kanagawa 243-0198, Japan

In dieser Arbeit wurden selbstorganisierte GaInN Quantenpunkte (QP) auf GaN hergestellt, die als aktive Zone in Laserdioden mit blau-grüner Emission eingesetzt werden. Dazu haben wir GaInN QP auf GaN Pufferschichten auf SiC Substraten mittels MOVPE im Stranski-Krastanov-Wachstumsmodus hergestellt.

Die QP Strukturen wurden mittels Rasterkraftmikroskopie (AFM), Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) und optischer Spektroskopie charakterisiert. Bei einer Wachstumstemperatur von 660^∘C erzielten wir eine QP Dichte von ca. 10¹⁰ Punkten/cm², bei einer Wachstumsrate von 4 Monolagen pro Minute. Photolumineszenz Untersuchungen an diesen Proben zeigen deutlich eine Emission zwischen 410nm und 440 nm. Der Einfluss der Wachstumsparameter (z.B. Annealing Zeit und Wachstumstemperatur der GaN Deckschicht) wurde auch optisch untersucht.