Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 11: Poster 1
HL 11.75: Poster
Montag, 11. März 2002, 17:00–19:30, Poster A
Resonantes Tunneln durch vertikal gekoppelte InAs Quantenpunkte — •D. Sarkar1, U. Zeitler1, I. Hapke-Wurst1, R. J. Haug1, K. Pierz2 und A. G. M. Jansen3 — 1Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, Appelstraße 2, D-30167 Hannover — 2PTB Braunschweig, Bundesallee 100, D-38116 Braunschweig — 3Grenoble High Magnetic Field Laboratory, MPIF-CNRS, BP 166, F-38042 Grenoble Cedex 09
Mittels resonanter Tunnelexperimente in hohen Magnetfeldern bis zu 28 T untersuchen wir die elektronische Struktur vertikal gekoppelter InAs Quantenpunkte. Die gekoppelten selbstorganisierten InAs Dots sind in zwei Schichten in AlAs-Barrieren in einer GaAs-AlAs-GaAs-Tunneldiode eingebettet. Die Schichtdicken der äußeren AlAs-Barrieren betragen 5 nm, die der mittleren, zwischen den Dots liegenden, beträgt 3, 5 bzw. 7 nm für verschiedene Proben. Im Gegensatz zu Einzeldotsystemen [1] zeigt sich bereits bei niedrigen Feldern (B < 14 T) ein reiches Energiespektrum der gekoppelten Dots. Dies äußert sich z.B. in der magnetfeldabhängigen Aufspaltung von Strompeaks, die vom resonanten Tunneln durch gekoppelte Dots herrühren. Bei hohen Feldern beobachten wir außerdem eine starke Überhöhung des Tunnelstroms, was wir auf eine bereits in Einzeldotsystemen gemessene Fermikantensingularität [1] zurückführen.
[1] I. Hapke-Wurst et al.,Phys. Rev. B. 62, 12621 (2000).