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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster 1

HL 11.87: Poster

Montag, 11. März 2002, 17:00–19:30, Poster A

Verspiegelung von II-VI-Halbleiter–Laserdioden — •Christian Petter, Matthias Klude, Carsten Kruse, Stephan Figge und Detlef Hommel — Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, 28334 Bremen

Für die Herstellung von Laserdioden, die im grünen Spektralbereich um 520 nm emittieren, ist das II-VI–Materialsystem mit CdZnSSe als aktiver Zone bis heute das einzige. Um die für eine Markteinführung noch zu geringe Lebensdauer zu erhöhen, muss die Schwellstromdichte gesenkt werden. Ein Ansatz hierzu ist die Verspiegelung der Facetten mittels dielektrischer Spiegelschichten, da die Reflektivität unbeschichteter Spaltflächen bei nur 20% liegt. Für die Spiegelschichten werden abwechselnd Schichtpaare mit niedrigem (SiO₂) und hohem (TiO₂) Brechungsindex durch Kathodenzerstäubung (Sputtering) aufgebracht. Hiermit lässt sich die Reflektivität der Resonatorendflächen durch eine entsprechende Anzahl an Spiegelpaaren gezielt einstellen. So konnte eine Absenkung der Schwellstromdichte um bis zu 50% erreicht werden. Rasterkraftmikroskopie(AFM)–Aufnahmen zeigen darüberhinaus, dass unbehandelte Spaltkanten mit Magnesiumoxid bedeckt sind, was sich durch Ätzen mittels Argon-Plasma komplett entfernen lässt. Der Effekt dieser Behandlung der Spaltflächen wird untersucht.