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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster 1

HL 11.8: Poster

Montag, 11. März 2002, 17:00–19:30, Poster A

Querschnitts-Rastertunnelmikroskopie an Kohlenstoff-Deltadotierschich ten in AlGaAs-Heterostrukturen — •T.C.G Reusch¹, M. Wenderoth¹, K. Sauthoff¹, R.G. Ulbrich¹, S. Malzer² und G. Döhler² — ¹IV. Physikalisches Institut der Universität Göttingen, Bunsenstr. 13, 37073 Göttingen — ²Institut für Technische Physik I, Universität Erlangen-Nürnberg, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen

Unsere Messungen demonstrieren die Möglichkeit zur quantitativen lokalen Barrieren-Spektroskopie mithilfe der Querschitts-Rastertunnelmikroskopie. Vorraussetzung hierfür sind Proben mit starken und wohldefinierten internen Feldern, was durch Deltadotierung erreicht werden kann. Die untersuchten Proben haben eine n-i-p Struktur mit AlGaAs-Barrieren im intrinsichen Bereich und sind beidseitig kontaktiert. Der p-dotierte Bereich besteht aus C-Deltaschichten nahe den Barrieren, wodurch sich starke interne elektrische Felder bilden. Unsere Messungen zeigen, daß der durch die Tunnelspitze injizierte Strom im Bereich der Barrieren durch Transport- und Ladungseffekte beeinflußt wird. Dabei ergeben sich experimentelle Abhängigkeiten sowohl von der Tunnelspannung als auch vom Setzstrom. Die von der Tunnelspitze lokal injizierten Ladungsträger bewegen sich in den internen Feldern der Probe und müssen die Barrierenstruktur überwinden. In Abhängigkeit von Energie und Entfernung der Injektion zu der Barriere dominieren verschiedene Transportprozesse.

Diese Arbeit wurde von der DFG im Rahmen des SFB 345 gefördert.