Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster 1

HL 11.90: Poster

Montag, 11. März 2002, 17:00–19:30, Poster A

GaN-DFB-Laserdioden Prozessierung und Untersuchung — •RALF HÄRLE¹, H. SCHWEIZER¹, H. Gräbeldinger¹, V. Dumitru¹, M. Jetter¹, S. Bader², G. Brüderl², A. Weimar², A. Lell² und V. Härle² — ¹Universität Stuttgart, 4. Physikalisches Institut, Pfaffenwaldring 57, 70550 Stuttgart, Deutschland — ²Osram Opto Semiconductors GmbH & Co OHG, 93049 Regensburg, Deutschland

In unserer Arbeit werden die von uns hergestellten InGaN/GaN-Laserdioden hinsichtlich ihrer elektrischen wie auch ihrer optischen Eigenschaften untersucht. Aufgrund ihrer Emissionswellenlänge im blauen Spektralbereich zeigen diese Laserdioden ein hohes Anwendungspotential in der Sensorik, der optischen Speichertechnik und in der Displaytechnik. Die von uns entwickelte Prozessierungstechnologie erlaubte uns, verschiedene Arten von Laserdioden wie FP (Fabry-Perot), lateral gekoppelte DFB (Distributed FeedBack) und DBR (Distributed Bragg Reflector)-Laserdioden bei verschiedenen Gitterperioden zu realisieren. Dazu wurden die InGaN/GaN-MQW (Multi Quantum Well) epitaktisch auf SiC-Substrat aufgewachsen und anschließend mikrostrukturiert. Die elektrisch gepumpten Laser wurden durch Messung der Strom-Spannungskennlinie und der Leistungs-Strom-Kurve charakterisiert. Das Emissionsspektrum wurde aufgenommen und bezüglich seiner Temperaturabhängigkeit untersucht. Aus der Abhängigkeit der Laseremission von der DFB-Gitterperiode kann auf DFB-Laserbetrieb geschlossen werden und wir bestimmen daraus die effektive Brechzahl als Funktion der Wellenlänge. Die gefundene Dispersion zeigt, daß interne Felder den optischen übergang in InGaN massiv beeinflussen.