Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 14: III-V Halbleiter I

HL 14.2: Talk

Tuesday, March 12, 2002, 11:15–11:30, H13

Niveauabstoßung in Nano-Photolumineszenz-Spektren einzelner GaAs Quantenfilme? — •G. von Freymann¹, U. Neuberth¹, M. Deubel¹, M. Wegener¹, G. Khitrova² und H. M. Gibbs² — ¹Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe (TH), 76128 Karlsruhe — ²Optical Sciences Center, University of Arizona, Tucson, AZ 85721, U.S.A.

Wir analysieren Nano-Photolumineszenz-Spektren einzelner GaAs Quantenfilme mittels Autokorrelationsspektroskopie [1]. Energetische Korrelationen zwischen einzelnen Photolumineszenzlinien erlauben den Rückschluss auf das zugrunde liegende Potential [1]. In einer aktuellen Arbeit [2] wird ein bei 3 meV Energieversatz liegendes Korrelationsmaximum (KM) mit Niveauabstoßung in Verbindung gebracht. Wir können dieses Ergebnis für fast identische Proben reproduzieren, finden jedoch bei einer detaillierteren Analyse der experimentellen Daten mittels Filterfunktionen [1], dass dieses KM seinen Ursprung in in Monolageninseln quantisierten Zuständen hat und keineswegs Niveauabstoßung widerspiegelt. An einer weiteren Probe, die im Gegensatz zu den beiden anderen explizite Monolagenaufspaltung zeigt, beobachten wir für den hochenergetischen Spektralbereich räumlich deutlich ausgedehntere Zustände. Aufgrund des größeren Wellenfunktionsüberlapps sollten diese Niveauabstoßung zeigen. Tatsächlich finden wir in diesem Spektralbereich ein KM bei 1.5 meV, dass wir in guter Übereinstimmung mit numerischen Simulationen mit Niveauabstoßung identifizieren.

[1] G. von Freymann et al., Appl. Phys. Lett. 77 394 (2000)

[2] F. Intonti et al., Phys. Rev. Lett. 87, 076801 (2001)