Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 14: III-V Halbleiter I

HL 14.6: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 12:15–12:30, H13

In situ-Untersuchung von Oberflächenprozessen während der MOVPE mittels FTIR-Spektroskopie — •Ch. Kaspari, F. Poser, J.-T. Zettler und W. Richter — Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN 6-1, Hardenbergstraße 36, D-10623 Berlin

Für die in situ-Analyse in der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) haben sich Untersuchungsmethoden wie Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie (RAS) und spektroskopische Ellipsometrie (SE) in den letzten Jahren etabliert. Diese sind jedoch nur wenig empfindlich für Adsorbate (CH₃, CH₂, H), wie sie in der MOVPE während des Wachstums auftreten.

Aus diesem Grund setzen wir die Fourier Transform Infrarotspektroskopie (FTIR) als oberflächenempfindliches in situ-Meßverfahren ein. Dazu wurde ein FTIR-Spektrometer vom Typ BioRad FTS 7000e mit einer MOVPE-Anlage verbunden.

Durch Untersuchungen während des epitaktischen Wachstums von GaAs und InAs lassen sich Rückschlüsse auf die bei diesen Materialsystemen auftretenden Wachstumsprozesse ziehen.

Der hiermit erreichbare direkte Zugang zu den Bindungsverhältnissen an der Wachstumsoberfläche führt zu Fortschritten im Verständnis der oberflächenkatalytischen Zerlegung der Ausgangsstoffe und der adsorbatmodifizierten Oberflächenrekonstruktionen.