Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 14: III-V Halbleiter I

HL 14.9: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 13:00–13:15, H13

Untersuchung von Makrostufen auf vizinalen GaAs(001) Oberflächen und die Anlagerung von InAs Quantenpunkten in der MOVPE — •S. Weeke¹, F. Poser¹, A. Bhattacharya² und W. Richter¹ — ¹Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN 6-1, Hardenbergstraße 36, D-10623 Berlin — ²Solid State Electronics Group, Tata Institute of Fundamental Research, Mumbai, 400 005, India

Die Fähigkeit, Einkristalle monolagenweise mit kontrollierter Komposition zu wachsen ist eine der wichtigsten Eigenschaften moderner Wachstumstechniken wie der Metallorganischen Gasphasen Epitaxie (MOVPE). Von besonderem Interesse sind zur Zeit niederdimensionale Strukturen wie Quantenpunkte und Quantendrähte und deren selbstorganisiertes Wachstum. Auf vizinalem GaAs (001) unter extremen V/III Verhältnissen gewachsene Makrostufen eignen sich hierzu besonders. Diese Selbststrukturierung von Halbleiteroberflächen im Stufenflußwachstum ermöglicht eine Vorstrukturierung der Substrate im Nanometer-Bereich unter Verzicht auf sonst übliche Maßnahmen wie Maskieren, Ätzen etc. Anhand von Rasterkraftmikroskopie-Aufnahmen wird gezeigt, daß die Verwendung der ⟨111⟩ Orientierung gegenüber der meist verwendeten ⟨110⟩ Orientierung von Vorteil ist. Bei einer sehr gleichmäßigen Ausbildung der Stufen ohne mäandern wurden. Weiten von bis zu 100 nm realisiert. Damit eignen sich die Proben für die geordnete Anlagerung von InAs.