HL 14: III-V Halbleiter I
Dienstag, 12. März 2002, 11:00–13:15, H13
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11:00 |
HL 14.1 |
Untersuchung der Segregation von In in InAs/AlAs Heterostrukturen — •Marco Schowalter, Andreas Rosenauer, Dagmar Gerthsen, Markus Arzberger, Michael Bichler und Gerhard Abstreiter
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11:15 |
HL 14.2 |
Niveauabstoßung in Nano-Photolumineszenz-Spektren einzelner GaAs Quantenfilme? — •G. von Freymann, U. Neuberth, M. Deubel, M. Wegener, G. Khitrova und H. M. Gibbs
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11:30 |
HL 14.3 |
Polarity inversion of GaN (0001) surfaces — •Andreia L. da Rosa, Jörg Neugebauer, John E. Northrup, Chae-Deok Lee, and Randall M. Feenstra
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11:45 |
HL 14.4 |
Empirical pseudopotential (EPP) calculations of effective-mass parameters of wurtzite-type GaN, InN, and ALN — •Daniel Fritsch, Heidemarie Schmidt, and Marius Grundmann
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12:00 |
HL 14.5 |
Negative step formation energies on GaN surfaces: Implications on surface roughening — •Liverios Lymperakis and Jörg Neugebauer
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12:15 |
HL 14.6 |
In situ-Untersuchung von Oberflächenprozessen während der MOVPE mittels FTIR-Spektroskopie — •Ch. Kaspari, F. Poser, J.-T. Zettler und W. Richter
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12:30 |
HL 14.7 |
Parametrische Polariton-Polariton-Streuung in Mikrokavitäten reduzierter Dimensionalität — •M. Schwab, G. Dasbach, M. Bayer, D.N. Krizhanovskii und A. Forchel
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12:45 |
HL 14.8 |
Optische Verstärkung in (GaIn)(NAs)/GaAs — •Kristian Hantke, Jörg Koch, Wolfgang Stolz, Nils Gerhardt und Martin Hofmann
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13:00 |
HL 14.9 |
Untersuchung von Makrostufen auf vizinalen GaAs(001) Oberflächen und die Anlagerung von InAs Quantenpunkten in der MOVPE — •S. Weeke, F. Poser, A. Bhattacharya und W. Richter
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