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HL: Halbleiterphysik

HL 17: GaN I

HL 17.2: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 11:15–11:30, H17

Ausheilverhalten von AlN nach Implantation von schweren Ionen — •Katharina Lorenz und Reiner Vianden — Institut für Strahlen- und Kernphysik, Nußallee 14-16, 53115 Bonn

Nach Implantation der Isotope ¹¹¹In und ¹⁸¹Hf in AlN-Filme auf Saphir wurde ein isochrones Ausheilprogramm durchgeführt und die einzelnen Ausheilstadien mit der Methode der gestörten Winkelkorrelation (PAC) untersucht. In beiden Fällen wurde ein Einbau von ca. 50% der implantierten Sonden auf ungestörten Gitterplätzen beobachtet. Der Ablauf des Ausheilprozesses ist jedoch sehr unterschiedlich für die zwei Sonden. Während für In schon bei niedrigen Temperaturen (300-500^∘C) ein deutlicher Anstieg des Anteils der Sonden auf ungestörten Gitterplätzen zu verzeichnen ist, werden für Hf Temperaturen zwischen 800^∘C und 1000^∘C benötigt. Andererseits ist die Dämpfung, die ein Maß für die Güte des Kristalls im weiteren Umfeld der Sonde darstellt, für die Messungen mit Hf stets kleiner als mit In. Eine bessere Beschreibung der experimentellen Daten kann mit der Annahme eines asymmetrischen, elektrischen Feldgradienten erreicht werden. Diese Asymmetrie ist jedoch für ein ungestörtes Wurtzitgitter unerwartet und kann auf eine Verspannung der Schicht aufgrund der Gitterfehlanpassung mit dem Substrat hinweisen. Die Resultate werden mit dem bereits gut untersuchten Ausheilverhalten von GaN verglichen.