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HL: Halbleiterphysik
HL 17: GaN I
HL 17.5: Vortrag
Dienstag, 12. März 2002, 12:00–12:15, H17
Elektro-optische Eigenschaften von GaN-Schottky-Dioden — •D. Fuhrmann1, S. Shokhovets1, R. Goldhahn1, G. Gobsch1, U. Karrer2 und O. Ambacher2 — 1Institut für Physik, TU Ilmenau, PF 100565, 98684 Ilmenau — 2Walter Schottky Institut, TU München, Am Coulombwall 3, 85748 Garching
Mit der Realisierung von Schottky-Dioden auf der Basis von Gruppe-III-Nitridhalbleitern eröffnen sich neue Möglichkeiten zur Entwicklung wellenlängenselektiver, empfindlicher Empfänger für den nahen ultravioletten Spektralbereich. Dies erfordert ein umfassendes Verständnis der elektrischen, optischen und elektro-optischen Prozesse im Bereich der Oberflächenraumladungszone. Hierzu können z.B. kombinierte Elektroreflexions- (ER), Photostrom- (PC) und Photolumineszenzmessungen beitragen.
Wir stellen Ergebnisse derartiger Untersuchungen in Abhängigkeit von der angelegten Spannung für GaN-Dioden vor, bei denen der semitransparente Pt-Kontakt entweder auf der N- bzw. Ga-terminierten polaren Oberfläche aufgedampft wurde. Aus den Franz-Keldysh-Oszillationen der ER-Daten läßt sich die Feldstärke und damit die Barrierenhöhe bestimmen. Im Bereich der freien Exzitonenübergänge wird erstmals eine ausgeprägte Rotationsstruktur in den ER-Spektren bei Variation der Gatespannung nachgewiesen, die durch das Auftreten einer exzitonenfreien Randschicht erklärt werden kann. Diese Annahme korreliert mit der beobachteten Abnahme des exzitonischen Beitrags in den PC-Spektren bei wachsender Feldstärke.