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HL: Halbleiterphysik

HL 17: GaN I

HL 17.6: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 12:15–12:30, H17

Optimierung von In_xGa_1−xN-MQW-Strukturen mittels MOVPE — •S. Lahmann, F. Hitzel, U. Rossow und A. Hangleiter — TU Braunschweig, Inst. f. Techn. Physik, s.lahmann@tu-bs.de

Zone in lichtemittierenden Bauelementen wie LED oder Laser wurden In_xGa_1−xN /GaN - Multi-Quantum-Well (MQW) -Strukturen mit verschiedenen Quantenfilmdicken, -anzahlen und verschiedenen Wachstumsparametern gewachsen. Die Proben wurden auf Morphologie, Photolumineszenzeffizienz und Defektdichte untersucht. Die Lumineszenzausbeute zeigte sich stark abhängig von der Qualität des GaN-Unterbaus und des Totaldrucks im Reaktor während des MQW-Wachstums. Eine Erhöhung der QW-Anzahl von 1 auf 10 QWs bewirkte eine über-lineare Zunahme der PL-Ausbeute. Dies deutet auf eine Variation der optischen Qualität abhängig von der Position der einzelnen QWs in der aktiven Zone hin. Es wurde eine empfindliche Temperaturabhängigkeit für den Einbau von Indium beobachtet. Die PL- Peaklage bei verschiedenen Indium-Konzentrationen und QW-Dicken stimmt mit Berechnungen unter Berücksichtigung der piezoelektrischen Felder überein.