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HL: Halbleiterphysik

HL 17: GaN I

HL 17.8: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 12:45–13:00, H17

Einfluss von Tieftemperatur-Zwischenschichten auf Verspannung und Defektdichten von GaN — •U. Rossow¹, F. Hitzel¹, N. Riedel¹, J. Bläsi ng², A. Krost², G. Ade³ und A. Hangleit er¹ — ¹TU Braunschweig, Inst. f. Techn. Physik, u.rossow@tu-bs.de — ²Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Inst. f. Exp. Physik — ³Physikalisch-Technische-Bundesanstalt (PTB), Braunschweig

Die mit einigen 10⁸cm⁻² bis 10⁹cm⁻² hohe Defektdichte in GaN-Pufferschichten ist zu hoch für GaN basierende Halbleiterlaser im cw-Betrieb. Eine Reduzierung der Defektdichte sollte zudem auch die Quantenausbeute in LEDs steigern. Ein relativ aufwendiges, etabliertes Verfahren ist das laterale Überwachsen von maskierten Strukturen (ELOG). Ein einfacheres Verfahren zur Reduzierung der Defektdichte ist die Verwendung von Tieftemperatur-Zwischenschichten bei dem eine Reduzierung um mehr als eine Größenordnung beobachtet wurde (H. Amano et al.). Wir diskutieren in diesem Beitrag die Eigenschaften der GaN-Schichten gewachsen in Niederdruck-MOCVD unter Verwendung verschiedener Zwischenschichten wie GaN, oder In_xGa_1−xN. GaN Zwischenschichten zeigen eine eher erhöhte Defektdichte, schlechtere Morphologie und tensile Verspannung. Erste Ergebnisse deuten darauf hin, dass In_xGa_1−xN hier eine Verbesserung bringt.