Regensburg 2002 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 17: GaN I
HL 17.9: Vortrag
Dienstag, 12. März 2002, 13:00–13:15, H17
Erzeugung von Antisite-Defekten in GaN durch radioaktive Elementumwandlung — •M. Deicher1, A. Stötzler1, M. Dietrich2 und ISOLDE Kollaboration3 — 1Fachbereich Physik, Universität Konstanz, 78457 Konstanz — 2Technische Physik, Universität des Saarlandes, 66041 Saarbrücken — 3CERN/PPE, CH-1211 Genf 23, Schweiz
In GaN erhält man einen Antisite-Defekt, indem man ein N-Atom durch ein Ga-Atom ersetzt (GaN). Für GaN existieren verschiedene theoretische Modelle über seine Existenz [1] und mögliche Zustände in der Bandlücke [2,3]. Durch die Verwendung des radioaktiven Isotops 71As kann ein GaN-Antisite definiert erzeugt werden. Das Isotop 71As ist ein zu N isoelektronisches Atom und sollte nach der Implantation auf einem N-Platz eingebaut werden. 71As wandelt sich über 71Ge in das stabile Element 71Ga um. Findet während der gesamten Zerfallskette kein Platzwechsel statt, so befindet sich auch Ga auf einem N-Gitterplatz. Mit Hilfe der Isotope 71As und 72Se (72Se→72As→72Ge) wurde mit Photolumineszenz und Hall-Effekt versucht, die Bildung von GaN-Antisites nachzuweisen und ihre optischen und elektrischen Eigenschaften zu bestimmen.
[1] J. Neugebauer and C.G. Van der Walle, Phys. Rev. B 50, 8067 (1994)
[2] T.L. Tansley and R.J. Egan, Phys. Rev. B 45, 10942, (1992)
[3] P. Boguslawski, E.L. Briggs and J. Bernholc, Phys. Rev. B 51, 17255 (1995)