HL 17: GaN I
Dienstag, 12. März 2002, 11:00–13:15, H17
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11:00 |
HL 17.1 |
Wachstum und optische Charakterisierung kubischer AlxGa1−xN/GaN Quantum-Well-Strukturen — •Stefan Potthast, Ulrich Köhler, Alexander Khartchenko, Donat As und Klaus Lischka
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11:15 |
HL 17.2 |
Ausheilverhalten von AlN nach Implantation von schweren Ionen — •Katharina Lorenz und Reiner Vianden
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11:30 |
HL 17.3 |
Untersuchungen zur Wellenführung in (In,Ga)N/GaN/(Al,Ga)N - Laserstrukturen — •M. Röwe, P. Michler, J. Gutowski, S. Bader, G. Brüderl, V. Kümmler, A. Weimar, A. Lell und V. Härle
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11:45 |
HL 17.4 |
Strong vertical alignement of GaN quantum dots stacked in multilayer: correlation length and depth resolved strains using x-ray grazing incidence techniques — •Virginie Chamard, Till H. Metzger, Metin Tolan, Edith Bellet-Amalric, Bruno Daudin, Henri Mariette und Christophe Adelmann
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12:00 |
HL 17.5 |
Elektro-optische Eigenschaften von GaN-Schottky-Dioden — •D. Fuhrmann, S. Shokhovets, R. Goldhahn, G. Gobsch, U. Karrer und O. Ambacher
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12:15 |
HL 17.6 |
Optimierung von InxGa1−xN-MQW-Strukturen mittels MOVPE — •S. Lahmann, F. Hitzel, U. Rossow und A. Hangleiter
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12:30 |
HL 17.7 |
Phononen in verspanntem α-GaN und -AlN: Ergebnisse von ab initio-Rechnungen — •J.-M. Wagner und F. Bechstedt
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12:45 |
HL 17.8 |
Einfluss von Tieftemperatur-Zwischenschichten auf Verspannung und Defektdichten von GaN — •U. Rossow, F. Hitzel, N. Riedel, J. Bläsi ng, A. Krost, G. Ade und A. Hangleit er
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13:00 |
HL 17.9 |
Erzeugung von Antisite-Defekten in GaN durch radioaktive Elementumwandlung — •M. Deicher, A. Stötzler, M. Dietrich und ISOLDE Kollaboration
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