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HL: Halbleiterphysik

HL 19: III-V Halbleiter II

HL 19.3: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 14:30–14:45, H13

Substrat-Fehlorientierung als zusätzlicher Parameter bei der Züchtung von GaAs bei tiefen Temperaturen — •Carsten Schür¹, Tamas Marek^1,2, Horst P. Strunk¹, Christian Steen³, Peter Kiesel³, Manfred Niecke⁴ und Ralf Meyer⁵ — ¹Lehrstuhl Mikrocharakterisierung, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg — ²jetzt: Dept. of Chemical and Materials Engineering, Arizona State University, Tempe, Arizona, USA — ³Institut für Technische Physik I, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg — ⁴Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg — ⁵Walter-Schottky-Institut, Technische Universität München

Wir untersuchen den Einfluss der Substrat-Fehlorientierung auf die optischen und strukturellen Eigenschaften von GaAs, das bei tiefen Temperaturen epitaktisch gezüchtet wird (LT-GaAs). Mittels protoneninduzierter Emission von Röntgenstrahlung, Röntgenbeugung und optischen Absorptions-Experimenten bestimmen wir den Arsen-Überschuss von LT-GaAs-Schichten auf exakt orientierten und vizinalen GaAs(001)-Substraten. Die Fehlorientierung beträgt bis zu 10^∘ in <111>A- bzw. <111>B-Richtung. Wir finden einen deutlich erhöhten Einbau von Arsen bei 6^∘ <111>A Fehlorientierung, jedoch reduzierten Arsen-Einbau bei 10^∘ <111>A. Für <111>B Fehlorientierung finden wir keine signifikante Erhöhung der Arsen-Konzentration. Ihr signifikanten Einfluss auf die Arsen-Konzentration zeigt, dass die Substrat-Fehlorientierung als zusätzlicher Parameter bei der Züchtung von LT-GaAs genutzt werden kann.