HL 19: III-V Halbleiter II
Dienstag, 12. März 2002, 14:00–14:45, H13
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14:00 |
HL 19.1 |
Arsen-Diffusion in GaAs unter verschiedenen Dotierungen — •J. Pöpping, N.A. Stolwijk, H. Mehrer, M. Risse, R. Vianden und ISOLDE Collaboration
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14:15 |
HL 19.2 |
Punktdefekte in GaAs nach Oberflächenschädigung durch Diamandeinkristallritzen — •Torsten E.M. Staab, Christiane Zamponi, Matz Haaks, Ulrike Männig und Karl Maier
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14:30 |
HL 19.3 |
Substrat-Fehlorientierung als zusätzlicher Parameter bei der Züchtung von GaAs bei tiefen Temperaturen — •Carsten Schür, Tamas Marek, Horst P. Strunk, Christian Steen, Peter Kiesel, Manfred Niecke und Ralf Meyer
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