Regensburg 2002 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 2: Transporteigenschaften
HL 2.3: Talk
Monday, March 11, 2002, 11:00–11:15, H13
Molekularstrahlepitaxie und elektrische Charakterisierung von barrieredotierten CdS/ZnSe Einzelquantentrogstrukturen — •M. Dremel, M. Grün, M. Schmidt, R. v.Baltz und C. Klingshirn — Universität Karlsruhe, Institut für Angewandte Physik,
Im ersten Teil der Präsentation wird das Wachstums des CdS Quantentrogs mit einer Verbindungsquelle mit dem Wachstum unter Verwendung von Elementquellen diskutiert. Photolumineszenzmessungen zeigen für die mit Atomlagenepitaxie hergestellten Heterostrukturen eine Blau-Verschiebung der Übergangsenergie im Vergleich zur nominellen Schichtdicke. Diese Eigenschaft lässt sich mit Durchmischungseffekten in den Strukturen erklären. Durch den elementaren Schwefel wird einmal der Se-S Austausch in den ZnSe-Barrieren oder der Austausch von Cd mit Zn im CdS-Quantentrog verstärkt. Dies führt beides zu einer erhöhten Übergangsenergie und kann mit einer Durchmischung von 43% in den Barrieren oder 33% im Quantentrog erklärt werden.
Im zweiten Teil zeigen wir die elektrischen Eigenschaften von barrieredotierten CdS/ZnSe Quantentrögen. Es zeigt sich bei diesen Strukturen eine starke Abhängigkeit der Ladungsträgermobilität von der Dotierung. Dabei dominiert bei hochdotierten Proben die elektrische Leitung in den dotierten Schichten und erst bei niedrig dotierten Strukturen zeigen sich die elektrischen Eigenschaften des Quantentrogs. Eine Beschreibung der Ergebnisse mit einem Parallelleitungsmodell sowie die Modellierung der temperaturabhängigen Streuprozesse beschreiben die gefundenen Ergebnisse sehr gut. Die Mobilität wird dabei durch Grenzflächen- und Durchmischungsstreuung auf Werte um 1000cm2/Vs begrenzt.