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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Transporteigenschaften

HL 2.5: Vortrag

Montag, 11. März 2002, 11:30–11:45, H13

Frequenzmultiplikation von Mikrowellenstrahlung durch Dipoldomänen in Halbleiter-Übergittern — •R. Scheuerer¹, E. Schomburg¹, M. Häußler¹, K.F. Renk¹, D.G. Pavelev², Yu. Koschurinov², N. Maleev³, A. Zhukov³ und V. Ustinov³ — ¹NWF II, Univ. Regensburg, Germany — ²State Univ., Nizhny Novgorod, Russia — ³Ioffe Inst., St. Petersburg, Russia

Wir berichten über Frequenzmultiplikation von Mikrowellenstrahlung durch Verwendung von wandernden Dipoldomänen in einem Halbleiter-Übergitter, deren Ursache die negative differentielle Mobilität der Miniband-Elektronen ist. Ein GaAs/AlAs-Übergitter wurde in ein Hohlleitersystem eingebaut und mit Mikrowellen bei 70 GHz bestrahlt. Wir beobachteten die Erzeugung von Harmonischen, wobei die Konversion in die dritte Harmonische besonders effizient war (5 %). Eine Analyse der Meßergebnisse mit Hilfe einer Simulation auf der Basis eines Drift-Diffusions-Modells ergibt, daß die Erzeugung der höheren Harmonischen verursacht wird durch wandernde Dipoldomänen. Die Domänen werden durch die Strahlung entweder periodisch induziert oder wandernde Domänen werden periodisch gelöscht. Unsere Ergebnisse zeigen, daß dies zum Bau von effektiven Strahlungsquellen oberhalb 200 GHz ausgenutzt werden kann.