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HL: Halbleiterphysik

HL 20: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigensch. II

HL 20.11: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 17:00–17:15, H14

Exzitonendynamik in protonenbestrahlten InGaAs/GaAs Quantenpunkten — •F. Guffarth¹, H. Born¹, R. Heitz¹, A. Hoffmann¹, N. Sobolev² und D. Bimberg¹ — ¹TU-Berlin, Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN 5-2, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin. — ²Universidade de Aveiro, Campus de Santiago, 3810-193 AVEIRO, Portugal.

Der Einfluss von Defekten auf die dynamischen Eigenschaften von in Quantenpunkten (QDs) lokalisierten Exzitonen wird zumeist vernachlässigt. In der Regel liegen kaum Informationen zu Defektdichten vor, so dass deren Einfluss nicht quantifiziert werden kann. Die Bestrahlung mit Protonen erlaubt die Erzeugung von definierten Defektdichten, was im Falle höherdimensionaler Strukturen zu einem drastischen Einbruch der Lumineszenzausbeute führt, da Ladungsträger zu den entstandenen Defekten migrieren können. Dieser Effekt kann z.B. durch Lokalisierung von Ladungsträgern in QDs reduziert werden. In dieser Arbeit werden sowohl cw als auch zeitaufgelöste PL-Untersuchungen an InGaAs-QDs vorgestellt. Zur Erzeugung definierter Defektdichten wurden die Proben mit verschiedenen Protonendosen (2.4 MeV, 10¹³ − 10¹⁴p/cm²) bestrahlt. Es zeigt sich, dass die Intensität der QD-Lumineszenz sowohl für nichtresonante als auch für resonante Anregung mit zunehmender Bestrahlungsdosis abnimmt, obwohl die Grundzustandslebensdauer konstant bleibt. Wohingegen die simultane Verkürzung der Anklingzeit zeigt, dass die generierten Defekte die angeregten Zustände beeinflussen. Die Ergebnisse legen nahe, dass es sich bei der beobachteten Grundzustandslebensdauer um die strahlende Lebensdauer handelt.