Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 20: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigensch. II

HL 20.2: Talk

Tuesday, March 12, 2002, 14:45–15:00, H14

Elektrolumineszenz-Untersuchungen an wenigen Quantenpunkten in FIB-LEDs — •M. Vitzethum¹, R. Schmidt¹, P. Kiesel¹, P. Schafmeister², D. Reuter², A. Wieck² und G.H. Döhler¹ — ¹Institut für Technische Physik I, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen, Universität Erlangen-Nürnberg — ²Institut für Angewandte Festkörperphysik, Universitätsstr. 150, Ruhr-Universität Bochum

Wir benutzen fokussierte Ionenstrahlimplantation (Focused Ion Beam, „FIB“), um in GaAs laterale p-Dotierstreifen mit Breiten von 250 nm bis 10 µm zu erzeugen. Die implantierten Bereiche können in der MBE mit einer i-Schicht (Dicke 60 nm) und einer n-Schicht (Dicke 200 nm) überwachsen werden. Nach der photolithographischen Definition eines dazu senkrecht liegenden n-Streifens (Breite 1µm - 10 µm) ist es möglich, eine pin-Leuchtdiode mit einer Emissionsfläche von 0.25 µm² herzustellen. Wird nun beim Überwachsen eine Schicht mit InAs-Quantenpunken zentral in die i-Schicht zwischen dem p-dotierten und dem n-dotierten Streifen eingebettet, so kann man mit der so erzeugten Quantenpunkt-LED Elektrolumineszenz-Untersuchungen an den Quantenpunkten in der Querschnittsfläche der LED durchführen. Bei einer Quantenpunkt-Dichte etwa 2 × 10⁹ cm⁻² erwarten wir, daß nur noch einzelne Quantenpunkte zur Lichtemission beitragen. Wir präsentieren Spektren von Quantenpunkt-LEDs verschiedener Querschnittsfläche im Temperaturbereich von 20K - 300K, vergleichende (Makro)-PL-Messungen und AFM-Aufnahmen.