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HL: Halbleiterphysik

HL 20: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigensch. II

HL 20.7: Talk

Tuesday, March 12, 2002, 16:00–16:15, H14

InGaAs Quantenpunkte als wellenlängenselektive Speichermedien — •Miroslav Kroutvar, Artur Zrenner und Gerhard Abstreiter — Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall 3, D-85748 Garching

Die Nutzung der Wellenlänge als zusätzlicher Parameter bei der Ladungsspeicherung vervielfacht die Speicherdichte eines auf Quantenpunkte basierenden optischen Speichermediums. Wir stellen Ergebnisse zur resonanten Erzeugung und Speicherung von Ladungsträgern in selbstorganisierten InGaAs Quantenpunkten vor.

Die Einbettung der Quantenpunkte im intrinsischen Bereich einer n-i-Schottky-Diodenstruktur ermöglicht eine Ladungstrennung durch ein elektrisches Feld womit eine Rekombination verhindert wird. Die so mit Löchern beladenen Quantenpunkte werden durch Injektion von Elektronen neutralisiert und das Exziton zerstahlt.

Emission in der Nähe der Anregungswellenlänge weist selektive Ladungsspeicherung nach. Parasitäre Effekte führen zu Intensitäten unterhalb der Anregungsenergie, die mit Phonon-assistierter Absorption erklärt werden können.

Resonante Anregung mit zwei Lichtquellen zeigt eine unabhängige Speicherung beider Wellenlängen. Dies ist die Grundlage der Nutzung der Wellenlängendomäne als zusätzlichen Parameter in der optischen Ladungsspeicherung in Quantenpunkten.