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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Halbleiterlaser

HL 22.12: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 18:00–18:15, H13

Untersuchungen zur Strahlgüte von GaInP / AlGaInP - Trapezlasern — •Stefan Schmid, Martin Zimmermann, Ferdinand Scholz und Heinz Schweizer — Universität Stuttgart, 4. Physikalisches Institut, Pfaffenwaldring 57, 70550 Stuttgart

Rot emittierende Diodenlaser für Anwendungen z.B. in der Projektionstechnik erfordern Leistungen im Bereich einiger 100 mW bei möglichst gaußähnlichem Strahlprofil. Hierzu verfolgen wir im Wellenlängenbereich 630 - 670 nm das Konzept des Trapezlasers, bei dem das gaußförmige Intensitätsprofil eines schmalen indexgeführten Injektors in einen monolithisch integrierten, gewinngeführten, trapezförmigen Verstärker mit entspiegelter Austrittsfacette eingekoppelt wird. Mit einem dem Injektor entsprechenden Rippenwellenleiter - Laser alleine konnte laterale Grundmodenemission bis I = 1.8 I_thr, entsprechend einer Lichtleistung von 25 mW, erreicht werden.

Da es sich beim Trapezlaser um einen astabilen Resonator handelt, ist gegenüber dem Breitstreifen - Laser eine Favorisierung der Resonatorgrundmode sowie eine geringere Neigung zur Filamentierung aufgrund von Gewinnfluktuationen zu erwarten.

Wir haben Trapezlaser mit elektrisch getrennten Injektor - und Trapezsegmenten und verschiedenen Geometrien hergestellt und an diesen den Einfluß der Bauteilgeometrie sowie der Pumpkonfiguration auf das Emissionsverhalten, insbesondere den Strahlgüteparameter M² in Abhängigkeit von der Ausgangsleistung, untersucht. Die bisher gemessenen cw - Leistungen erreichen bis zu 700 mW.