Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Halbleiterlaser

HL 22.4: Talk

Tuesday, March 12, 2002, 16:00–16:15, H13

Hochfrequenzeigenschaften von 1.3 µm - InAs/GaInAs-Quantenpunkt-DFB-Lasern — •Roland Krebs, Siegfried Rennon, Johann Peter Reithmaier und Alfred Forchel — Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Deutschland

Für die Anwendung in optischen Datenübertragungssystemen sind monomodige Lichtquellen mit einer geringen Linienbreite und definiertem Kanalabstand notwendig. Diese Anforderungen werden von Lasern mit verteilter Rückkopplung (DFB-Laser) erfüllt. Quantenpunktlaser eignen sich besonders für Multiwellenlängenübertragung in lokalen Netzwerken, da die Emissionswellenlänge über einen weiten Bereich abstimmbar ist. Daher wurden bei 1.3 µm emittierende InAs/InGaAs-Quantenpunkt-DFB-Laser realisiert mit sehr guten Bauelementeigenschaften (Schwellenstrom: 20 mA, Seitenmodenunterdrückung > 40 dB, Linienbreite: 1.3 MHz für 800 µm lange Laser). An diesen Lasern wurden Rauschmessungen und Kleinsignal-Modulationsuntersuchungen durchgeführt. Erste Messungen an unmontierten Bauelementen ergaben eine thermisch begrenzte 3 dB Bandbreite von etwa 6 GHz in Übereinstimmung mit der internen Resonanzfrequenz der Laser. Weitere Hochfrequenzeigenschaften werden vorgestellt und diskutiert.