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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Halbleiterlaser

HL 22.5: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 16:15–16:30, H13

Ring- und Racetrack-Laser auf InP-Basis — •Lars Bach, Adriana Wolf, Johann Peter Reithmaier und Alfred Forchel — Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Deutschland

Für die monolithische Integration von Lasern in optoelektronischen Bauelementen existieren spezifische Anforderungen wie: Kompaktheit bei nicht zu hoher Komplexität in ihrer Bauart. Bevorzugt ist ebenfalls die Emission in der Ebene um eine bessere Ankopplung an weitere Komponenten zu gewährleisten. Die Bauteile sollten klein sein, geringe Schwellenströme und ausreichend hohe Ausgangsleistung aufweisen. Diese Anforderungen erfüllen Ringlaser in einem hohen Grade. Die Herstellung solcher tiefgeätzten Ring-Lasern erfolgt einer auf GaInAsP/InP Laserstrukturen. Cw-Betrieb konnte bis zu eine Ringgrösse von R = 35 µ m mit einem minimalen Schwellenstrom von 28 mA realisiert werden. Durch die Benutzung des Racetrack-Designs ist es mglich die Ausgangsleistung der Laser bis auf 1.1 mW zu bringen. Beide Lasertypen wiesen im Spektrum typische Seidenmodenunterdrückungen von mehr als 20 dB auf.