Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 22: Halbleiterlaser

HL 22.8: Talk

Tuesday, March 12, 2002, 17:00–17:15, H13

Quantenpunktlaser auf InP für den 1.55 - 1.8 µm Wellenlängenbereich — •Ruth Schwertberger, Dominik Gold, Johann Peter Reithmaier und Alfred Forchel — Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg, Deutschland

Seit kurzem ist es möglich, quantenpunktähnliche Strukturen mit selbstorganisiertem Wachstum auf InP-Substraten herzustellen, die vergleichbare Quantenpunkteigenschaften zeigen wie InAs-Quantenpunkte auf GaAs, die bei 1.3 µm emittieren. Damit erschliesst sich für Quantenpunktlaser ein neuer Wellenlängenbereich > 1.4 µm, der vor allem für Telekommunikations- und Sensorikanwendungen interessant ist. Die in diesem Beitrag präsentierten Laser mit Emissionswellenlängen von 1.5 bis 1.8 µm wurden mittels Gasquellen-Molekularstrahlepitaxie hergestellt. Dabei wurden Schwellenstromdichten unter 1 kA/cm² für 1 mm lange Breitstreifenlaser mit vergüteten Facetten erreicht. Die Bauelemente können gepulst bis 80 ^∘C betrieben werden und zeigen hohe charakteristische Temperaturen von 84 K bis 35 ^∘C. Ein weiterer Vorteil der Quantenpunktlaser gegenüber herkömmlichen Quantenfilmlasern ist die geringe Verschiebung der Wellenlänge mit der Temperatur. Diese ist vergleichbar mit der durch die Veränderung des Brechungsindex hervorgerufenen Verschiebung und ermöglicht in Zukunft die Realisierung von extrem temperaturstabilen DFB-Lasern.