Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 23: II-VI Halbleiter
HL 23.8: Vortrag
Dienstag, 12. März 2002, 17:00–17:15, H17
Plasmon-Phonon-Kopplung in der exzitonischen Absorption — •Thomas Klähn, Günter Manzke und Klaus Henneberger — Universität Rostock, Fachbereich Physik, Universitätsplatz 3, D-18051 Rostock
Wir untersuchen den Einfluß der gekoppelten Elektron-Phonon- und Elektron-Elektron-Wechselwirkung auf die optische Absorption in II-VI-Halbleitern. Beide Wechselwirkungsprozesse beeinflussen über ein effektives abgeschirmtes Potential die charakteristischen Vielteilcheneffekte wie Renormierung der Interbandenergie und Dephasierung und damit die energetische Position und die Linienform des Exzitons. Durch die Berücksichtigung von Gedächtniseffekten in den Stoßtermen der Halbleiter-Bloch-Gleichungen hängen die Vielteilcheneffekte sehr sensitiv nicht nur vom Wellenvektor, sondern auch von der Energie ab. Bei Vernachlässigung der Elektron-Phonon-Wechselwirkung zeigt das Dephasing einen Peak an der Bandkante und fällt zu beiden Seiten ab. Dieser Abfall führt zu einer Asymmetrie der Exzitonlinie. Die Elektron-Phonon-Wechselwirkung verstärkt diesen Effekt und führt mit zunehmender Anregungsdichte zu einem immer stärkeren Anwachsen des Dephasings in der Umgebung der Phonon-Resonanz. Andererseits führt die Elektron-Phonon-Wechselwirkung selbst bei niedrigsten Anregungen zu einem energieabhängigen Dephasing, was aber am Exziton nur sehr klein ist.