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HL: Halbleiterphysik

HL 23: II-VI Halbleiter

HL 23.9: Vortrag

Dienstag, 12. März 2002, 17:15–17:30, H17

Mikroskopische Korrelation von strukturellen und optischen Eigenschaften von N-dotierten ZnO-Epitaxieschichten — •Daniel Forster¹, Frank Bertram¹, Jürgen Christen¹, Ute Haboeck², Axel Hoffmann², Arndt Zeuner³, Helder R. Alves³, Detlev M. Hofmann³ und Bruno K. Meyer³ — ¹Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg — ²Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin — ³I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität Giessen

Stickstoff-dotierte ZnO-Epitaxieschichten von 2µm bis 10µm Dicke wurden mittels CVD auf GaN/Saphir-Pseudosubstraten abgeschieden. Die N-Dotierung wurde im Bereich von 10¹⁷ cm⁻³ bis 10¹⁹ cm⁻³ variiert und mit SIMS bestimmt. Die unterschiedliche Dotierung führt zu einer signifikanten Ändernung der Wachstumsmorphologie. In spektral- und ortsaufgelöster Kathodolumineszenzmikroskopie und Ramanspektroskopie wurden die optischen Eigenschaften untersucht. Die Lumineszenz zeigt im Bandkanten-nahen Bereich isolierte gebundene Exzitonen-Linien sowie Donator-Akzeptor-Paarbande. Die Anregungsdichteabhängigkeit der Paarbandenlumineszenz belegt den hohen Kompensationsgrad der Schichten. Sowohl lateral als insbesondere auch in Wachstumsrichtung wurde eine räumliche Korrelation zwischen exzitonischer Lumineszenz und Paarbande gefunden.