Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Ultrakurzzeitph
änomene II

HL 27.2: Talk

Wednesday, March 13, 2002, 14:45–15:00, H14

Wie verschieden ist die Quantenkinetik von einem Raman-Prozess ? — •W. A. Hügel¹, M. Wegener¹, Q. T. Vu², L. Bányai², H. Haug², F. Tinjod³ und H. Mariette³ — ¹Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe (TH), Kaiserstr.12, 76128 Karlsruhe — ²Insitut für Theoretische Physik, Universität Frankfurt, 60054 Frankfurt am Main — ³CEA-CNRS Research Group "Nanophysique et Semiconducteurs", Université Grenoble, 38054 Grenoble, France

Wir besprechen Photonenecho-Experimente (VWM) mit 15 fs Impulsen am II-VI Halbleiter CdTe bei Raumtemperatur im quantenkinetischen Regime. Es wird eine, dem VWM-Signal überlagerte, Oszillation beobachtet mit einer Periodendauer von T_osc=34 fs (mit und ohne Kohärente Kontrolle). Die Periodendauer des LO-Phonons im CdTe ist T_LO=195 fs. Diese Beobachtungen interpretieren wir als Überlagerungszustand aus Loch hat ein Phonon emittiert und Loch hat kein Phonon emittiert der sich ganz grob in eine Oszillationsperiodendauer T_osc=T_LO/(1+m_h/m_e) übersetzt. Bei einem Raman-Prozess hingegen gälte T_osc=T_LO – Quantenkinetik und Raman-Prozess sind hier also um einen Faktor von fünf verschieden. Weiterhin beobachten wir am CdTe eine leichte Zunahme der Abfallzeitkonstante des VWM-Signals mit steigender Ladungsträgerdichte – beim GaAs ist das Verhalten bekanntermaßen umgekehrt.