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Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 27: Ultrakurzzeitph
änomene II

HL 27.6: Talk

Wednesday, March 13, 2002, 15:45–16:00, H14

Nichtgleichgewichtsladungsträgertransport in GaAs - Neues Konzept mit unipolarem Transport und zeitlich und räumlicher Auflösung — •Axel Schwanhäußer1, Martin Eckardt1, Lucio Robledo1, Gottfried Döhler1, Markus Betz2, Stephan Trumm2 und Alfred Leitenstorfer21Institut für technische Physik, Lehrstuhl für Halbleiterphysik , Erwin-Rommel-Str.1, 91058 Erlangen — 2Physik Departement E11,Technische Universität München, 85747 Garching

In diesem Beitrag wird der elektronische Transport in GaAs auf ultrakurzen Zeitskalen bei gleichzeitiger räumlicher Auflösung, mit Hilfe von optischen Anrege-Abfrage-Experimenten, untersucht. Dazu wurde eine Hetero-pin-Struktur entwickelt, die rein unipolaren Transport ermöglicht. Die gemessene Größe ist die dynamische Transmissionsänderung, die sich aufgrund der partiellen Feldabschirmung - resultierend aus der Dipolschicht der stationären Löcher und der beschleunigten Elektronen - einstellt (Franz-Keldysh-Effekt). Der unipolare Transport wird durch einen erniedrigten Al-Gehalt (2%) am Begin des intrinsischen Bereichs und einen wellenlängenangepassten Anrege-Puls erzielt.

Der räumlich definierte Nachweis erfolgt über einen energetisch isolierten Bereich (255nm, 5%Al) der über eine Strecke kontinuierlich steigenden Al-Anteils mit dem Injektionsbereich verbunden ist.

Effekte wie das Überschiessen der Driftgeschwindigkeit und Einsetzten der Nebentalstreuung wurden bei Feldern von 7 bis 180kV/cm und bei Temperaturen von 4K und 300K untersucht. Umfangreiche Monte Carlo Simulationen liefern hervorragende Übereinstimmung.

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