Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 27: Ultrakurzzeitph
änomene II

HL 27.8: Vortrag

Mittwoch, 13. März 2002, 16:15–16:30, H14

Einfluss der absoluten optischen Phase von Zwei-Zyklen-Impulsen auf die nicht-perturbative resonante nichtlineare Optik am GaAs — •O. D. Mücke, T. Tritschler und M. Wegener — Institut für Angewandte Physik, Wolfgang-Gaede-Straße 1, Universität Karlsruhe (TH), 76131 Karlsruhe

Die Bestimmung der absoluten optischen Phase, d.h. der Phase zwischen der optischen Trägerwelle und der Enveloppe des Feldes, wird aktuell intensiv diskutiert, da ungewöhnliche Effekte in Reichweite sind, die von dieser absoluten optischen Phase abhängen, und Anwendungen in der Metrologie existieren. In unseren numerischen Rechnungen führt die Interferenz von Maxima verschiedener Rabi-Doublets des so genannten Carrier-Wave Rabi-Floppings zu einem merklichen Einfluss der absoluten optischen Phase. Hierbei ist das Design der GaAs-Proben von entscheidender Bedeutung: es dürfen insbesondere keine AlGaAs-Barrieren eingesetzt werden, und die GaAs-Filme sollten nicht dicker als einige 10 nm sein. In den Rechnungen muss die dielektrische Funktion des GaAs bis hin zu Photonenenergien von nahezu 6 eV berücksichtigt werden, d.h. die Dynamik der so genannten Hintergrund-Dielektrizitätskonstanten wird wichtig. Ferner wenden wir entsprechende Rechnungen auf bereits publizierte Experimente an GaAs/AlGaAs-Doppelheterostrukturen [1] an und können so einige unverstandene Details dieser Arbeiten aufklären.

[1] O. D. Mücke, T. Tritschler, M. Wegener, U. Morgner und F. X. Kärtner, Phys. Rev. Lett. 87, 057401 (2001).