Regensburg 2002 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 28: Quantenpunkte und -dr
ähte: Herstellung und Charakterisierung

HL 28.1: Talk

Wednesday, March 13, 2002, 14:30–14:45, H17

Die atomare Struktur von In_0.8Ga_0.2As Quantenpunkten untersucht mittels Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen — •A. Lenz, R. Timm, H. Eisele, Ch. Hennig, M. Ternes, R. L. Sellin, U.W. Pohl, D. Bimberg und M. Dähne — TU Berlin, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Mit Rastertunnelmikroskopie an Querschnittsflächen (XSTM) wurde ein Dreifachstapel von selbstorganisierten InGaAs/GaAs-Quantenpunkten untersucht, die mittels metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOCVD) gewachsen wurden. Jede Schicht besteht aus In_0.8Ga_0.2As-Quantenpunkten, auf die zum Verspannungsabbau 3 nm In_0.1Ga_0.9As gewachsen wurden, sowie einer ca. 25 nm dicken GaAs-Zwischenschicht. Hochaufgelöste Rastertunnelmikroskopiebilder zeigen viele Quantenpunkte unterschiedlicher Größe und Form. Unter anderem konnten Quantenpunkte mit invertierter Pyramidenform beobachtet werden (sog. " Reverse-Cone") [1]. Vorgestellt werden weiterhin XSTM-Bilder von Quantenpunkten, die innen hohl zu sein scheinen und damit eine noch ungeklärte räumliche Struktur zeigen.

[1] N. Liu et al., Phys. Rev. Let. 84, 334 (2000)